Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції KSC5027OTU за ціною від 58.25 грн до 204.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSC5027OTU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
KSC5027OTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
KSC5027OTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
KSC5027OTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
KSC5027OTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
KSC5027OTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSC5027OTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 322+ | 110.11 грн |
| 500+ | 99.10 грн |
| 1000+ | 91.40 грн |
| KSC5027OTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 110.30 грн |
| 10+ | 82.50 грн |
| KSC5027OTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS NPN 800V 3A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.22 грн |
| 50+ | 81.52 грн |
| 100+ | 73.22 грн |
| KSC5027OTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSC5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - KSC5027OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 3 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 204.02 грн |
| 10+ | 130.06 грн |
| 100+ | 90.23 грн |
| 500+ | 71.33 грн |
| 1000+ | 58.25 грн |
| KSC5027OTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSC5027OTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 800V 3A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)