KSC5338D ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 571+ | 61.81 грн |
| 1000+ | 57.00 грн |
| 10000+ | 50.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC5338D ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3, Power - Max: 75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 11MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції KSC5338D за ціною від 34.91 грн до 117.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSC5338D | ONSEMI |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 450V Collector current: 5A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Current gain: 15...25 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 11MHz Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 10A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
KSC5338D | onsemi |
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3Power - Max: 75 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 11MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
KSC5338D | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
KSC5338D | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon |
на замовлення 152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSC5338D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 15...25
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 11MHz
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 10A
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 450V; 5A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 450V
Collector current: 5A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 15...25
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 11MHz
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 10A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 102.45 грн |
| 10+ | 47.49 грн |
| KSC5338D |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 11MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 11MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.52 грн |
| 10+ | 72.07 грн |
| 200+ | 43.41 грн |
| 600+ | 34.91 грн |
| KSC5338D |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSC5338D |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





