KSC5502DTTU

KSC5502DTTU onsemi / Fairchild


KSC5502DT_D-1810568.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Trip Dif Planar Silicon Transistor
на замовлення 3025 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.05 грн
10+103.30 грн
100+69.63 грн
500+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSC5502DTTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 600V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V, Frequency - Transition: 11MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 50 W.

Інші пропозиції KSC5502DTTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSC5502DTTU KSC5502DTTU Виробник : onsemi ksc5502dt-d.pdf Description: TRANS NPN 600V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 11MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.