KSD1408YTU Fairchild Semiconductor


FAIRS17863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
358+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1408YTU Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції KSD1408YTU за ціною від 30.97 грн до 133.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSD1408YTU KSD1408YTU ON Semiconductor ksd1408-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+78.87 грн
500+70.97 грн
1000+65.46 грн
10000+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU KSD1408YTU onsemi ksd1408-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.76 грн
50+61.59 грн
100+55.08 грн
500+40.97 грн
1000+37.52 грн
2000+34.62 грн
5000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU KSD1408YTU onsemi ksd1408-d.pdf FAIRS17863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU KSD1408YTU ONSEMI 2572467.pdf Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU ksd1408-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+78.87 грн
500+70.97 грн
1000+65.46 грн
10000+56.27 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU ksd1408-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 6197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.76 грн
50+61.59 грн
100+55.08 грн
500+40.97 грн
1000+37.52 грн
2000+34.62 грн
5000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU ksd1408-d.pdf FAIRS17863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU 2572467.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.