KSD1408YTU ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 33.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1408YTU ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції KSD1408YTU за ціною від 32.05 грн до 137.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD1408YTU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 12348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1408YTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 12348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1408YTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 3121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1408YTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 6268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1408YTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| KSD1408YTU | Виробник : ONSEMI |
KSD1408YTU NPN THT transistors |
товару немає в наявності |