KSD1408YTU Fairchild Semiconductor


FAIRS17863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
358+58.24 грн
Мінімальне замовлення: 358 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1408YTU Fairchild Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції KSD1408YTU за ціною від 32.67 грн до 141.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSD1408YTU KSD1408YTU ON Semiconductor ksd1408d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
448+79.04 грн
500+71.13 грн
1000+65.61 грн
10000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU KSD1408YTU onsemi ksd1408-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 6186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.14 грн
50+64.98 грн
100+58.11 грн
500+43.23 грн
1000+39.59 грн
2000+36.53 грн
5000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU KSD1408YTU onsemi ksd1408-d.pdf FAIRS17863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU KSD1408YTU ONSEMI 2572467.pdf Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU ksd1408d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
448+79.04 грн
500+71.13 грн
1000+65.61 грн
10000+56.40 грн
Мінімальне замовлення: 448 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU ksd1408-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 6186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.14 грн
50+64.98 грн
100+58.11 грн
500+43.23 грн
1000+39.59 грн
2000+36.53 грн
5000+32.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU ksd1408-d.pdf FAIRS17863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1408YTU 2572467.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.