KSD1616AGTA ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 154+ | 5.08 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
154 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції KSD1616AGTA за ціною від 8.52 грн до 44.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSD1616AGTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSD1616AGTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSD1616AGTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSD1616AGTA | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSD1616AGTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
KSD1616AGTA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 2846 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.76 грн |
| 4000+ | 8.52 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 776+ | 18.88 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 29.26 грн |
| 42+ | 18.88 грн |
| 100+ | 13.59 грн |
| 500+ | 10.73 грн |
| 668+ | 9.62 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 668+ | 34.36 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.26 грн |
| 13+ | 24.38 грн |
| 100+ | 15.50 грн |
| 500+ | 10.95 грн |
| 1000+ | 9.79 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.50 грн |
| 12+ | 26.99 грн |
| 100+ | 14.97 грн |
| 500+ | 11.29 грн |
| 1000+ | 10.08 грн |
| 2000+ | 9.55 грн |
| 4000+ | 9.03 грн |






