KSD1616AGTA ON Semiconductor
на замовлення 5639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 149+ | 4.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1616AGTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції KSD1616AGTA за ціною від 7.16 грн до 442.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD1616AGTA | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 5047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1616AGTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD1616AGTA | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
KSD1616AGTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
KSD1616AGTA | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
KSD1616AGTA | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Case: TO92 Formed Current gain: 200...400 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 160MHz |
товару немає в наявності |