Технічний опис KSD1616AGTA ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 160MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 750 mW.
Інші пропозиції KSD1616AGTA за ціною від 7.91 грн до 40.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSD1616AGTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KSD1616AGTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KSD1616AGTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KSD1616AGTA | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KSD1616AGTA | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3 |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KSD1616AGTA | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
KSD1616AGTA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
на замовлення 3974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.06 грн |
| 4000+ | 7.91 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.98 грн |
| 4000+ | 13.59 грн |
| 6000+ | 13.46 грн |
| 8000+ | 12.95 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 776+ | 18.20 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 28.02 грн |
| 42+ | 18.08 грн |
| 100+ | 13.02 грн |
| 500+ | 10.29 грн |
| 668+ | 9.15 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 668+ | 30.85 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.67 грн |
| 13+ | 23.95 грн |
| 100+ | 15.25 грн |
| 500+ | 10.78 грн |
| 1000+ | 9.64 грн |
| KSD1616AGTA |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






