Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSD1691GS
KSD1691GS

KSD1691GS ON Semiconductor

ksd1691-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
668+53.07 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 668 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1691GS ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.

Інші пропозиції KSD1691GS за ціною від 30.40 грн до 111.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSD1691GS KSD1691GS ONSEMI KSD1691.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...400
Kind of package: bulk
Collector current: 5A
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.33 грн
6+73.12 грн
10+63.57 грн
25+52.27 грн
100+39.55 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GS KSD1691GS onsemi ksd1691-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+67.91 грн
100+45.24 грн
500+33.33 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GS KSD1691GS onsemi ksd1691-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GS KSD1691.pdf
KSD1691GS
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Current gain: 200...400
Kind of package: bulk
Collector current: 5A
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.33 грн
6+73.12 грн
10+63.57 грн
25+52.27 грн
100+39.55 грн
500+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GS ksd1691-d.pdf
KSD1691GS
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.84 грн
10+67.91 грн
100+45.24 грн
500+33.33 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GS ksd1691-d.pdf
KSD1691GS
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.