Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSD1691GSTU
KSD1691GSTU

KSD1691GSTU ON Semiconductor

ksd1691-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
761+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1691GSTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.

Інші пропозиції KSD1691GSTU за ціною від 40.76 грн до 101.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KSD1691GSTU KSD1691GSTU onsemi ksd1691-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.29 грн
10+61.50 грн
100+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GSTU KSD1691GSTU onsemi ksd1691-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GSTU ksd1691-d.pdf
KSD1691GSTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.29 грн
10+61.50 грн
100+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD1691GSTU ksd1691-d.pdf
KSD1691GSTU
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.