KSD1691GSTU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 761+ | 46.90 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
761 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1691GSTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.
Інші пропозиції KSD1691GSTU за ціною від 24.92 грн до 109.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD1691GSTU | onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD1691GSTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT |
на замовлення 11202 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| KSD1691GSTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.49 грн |
| 10+ | 61.34 грн |
| 100+ | 40.66 грн |
| KSD1691GSTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT
Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT
на замовлення 11202 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.45 грн |
| 10+ | 68.27 грн |
| 100+ | 39.43 грн |
| 500+ | 36.28 грн |
| 1000+ | 31.00 грн |
| 1920+ | 28.07 грн |
| 5760+ | 24.92 грн |