Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції KSD1691YS за ціною від 17.34 грн до 84.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD1691YS | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag |
на замовлення 33240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD1691YS | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD1691YS | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| KSD1691YS |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Bag
на замовлення 33240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1147+ | 32.14 грн |
| 10000+ | 28.65 грн |
| KSD1691YS |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.06 грн |
| 10+ | 49.68 грн |
| KSD1691YS |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 84.37 грн |
| 10+ | 52.07 грн |
| 100+ | 29.68 грн |
| 500+ | 26.88 грн |
| 1000+ | 23.63 грн |
| 2000+ | 20.75 грн |
| 4000+ | 17.34 грн |