KSD1691YSTU ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 763+ | 22.52 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
763 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1691YSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSD1691YSTU за ціною від 17.23 грн до 88.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD1691YSTU | onsemi |
 Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 1918 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD1691YSTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 7678 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSD1691YSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSD1691YSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD1691YSTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KSD1691YSTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 763 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSD1691YSTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.52 грн |
| 10+ | 49.44 грн |
| 100+ | 32.41 грн |
| 500+ | 23.54 грн |
| KSD1691YSTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.65 грн |
| 10+ | 54.85 грн |
| 100+ | 31.22 грн |
| 500+ | 24.23 грн |
| 1000+ | 20.09 грн |
| 5760+ | 18.43 грн |
| 11520+ | 17.23 грн |
| KSD1691YSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.81 грн |
| 18+ | 43.57 грн |
| 100+ | 33.06 грн |
| 500+ | 27.54 грн |
| 1000+ | 25.26 грн |
| 1920+ | 21.28 грн |
| KSD1691YSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 88.81 грн |
| 337+ | 43.57 грн |
| 444+ | 33.06 грн |
| 513+ | 27.54 грн |
| 1000+ | 25.26 грн |
| 1920+ | 21.28 грн |
| KSD1691YSTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSD1691YSTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)