KSD1691YSTU ON Semiconductor
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1920+ | 20.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD1691YSTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції KSD1691YSTU за ціною від 14.87 грн до 90.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSD1691YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
на замовлення 2683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1691YSTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 15190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1691YSTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 3628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSD1691YSTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-126 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| KSD1691YSTU | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
|
|
KSD1691YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin TO-126 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
KSD1691YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| KSD1691YSTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Collector current: 5A Pulsed collector current: 8A Power dissipation: 20W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 160...320 Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| KSD1691YSTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 20W; TO126ISO Mounting: THT Case: TO126ISO Collector current: 5A Pulsed collector current: 8A Power dissipation: 20W Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 160...320 Polarisation: bipolar Kind of package: tube Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |