
KSD227YBU Fairchild Semiconductor

Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 69971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11539+ | 2.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD227YBU Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 400 mW.
Інші пропозиції KSD227YBU за ціною від 2.14 грн до 2.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSD227YBU | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 69971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
KSD227YBU | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 69971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
KSD227YBU | Виробник : Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
KSD227YBU | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 400 mW |
товару немає в наявності |
|||||
KSD227YBU | Виробник : STMicroelectronics |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
KSD227YBU | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |