Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSD363RTU
KSD363RTU

KSD363RTU ON Semiconductor

ksd363-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD363RTU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції KSD363RTU за ціною від 26.04 грн до 88.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSD363RTU KSD363RTU Виробник : onsemi ksd363-d.pdf Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.60 грн
50+40.00 грн
100+35.56 грн
500+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSD363RTU KSD363RTU Виробник : ON Semiconductor ksd363-d.pdf Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD363RTU KSD363RTU Виробник : onsemi ksd363-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD363RTU KSD363RTU Виробник : onsemi / Fairchild KSD363-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD363RTU Виробник : ONSEMI KSD363.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 6A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 6A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 40...80
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.