Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > KSD363YTU

KSD363YTU onsemi / Fairchild

Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

на замовлення 899 шт:

термін постачання 112-121 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис KSD363YTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3, Power - Max: 40 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 10MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції KSD363YTU

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
KSD363YTU	onsemi	Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 10MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
KSD363YTU	ONSEMI	Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022)	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.
KSD363YTU	ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн.

KSD363YTU

Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Power - Max: 40 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

KSD363YTU

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

KSD363YTU

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.