KSD363YTU onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.74 грн |
| 10+ | 64.40 грн |
| 100+ | 43.61 грн |
| 500+ | 36.28 грн |
| 1000+ | 27.27 грн |
| 2500+ | 26.90 грн |
| 5000+ | 25.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
122-131 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD363YTU onsemi / Fairchild
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 40 W.
Інші пропозиції KSD363YTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD363YTU | onsemi |
 Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 40 W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
KSD363YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
KSD363YTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSD363YTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
Description: TRANS NPN 120V 6A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KSD363YTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KSD363YTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.