KSD526Y onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.88 грн |
10+ | 63.98 грн |
200+ | 49.79 грн |
1000+ | 32.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD526Y onsemi
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 8MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції KSD526Y за ціною від 30.04 грн до 88.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSD526Y | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD526Y | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD526Y - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 8700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD526Y | Виробник : FAIRCHIL | 07+ LQFP32 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
KSD526Y | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSD526Y | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSD526Y | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товар відсутній |