KSD526Y ON Semiconductor
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 456+ | 67.70 грн |
| 507+ | 60.93 грн |
| 1000+ | 56.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD526Y ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 8MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 30 W.
Інші пропозиції KSD526Y за ціною від 34.28 грн до 100.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSD526Y | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 17340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
KSD526Y | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| KSD526Y | Виробник : FAIRCHIL |
07+ LQFP32 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| KSD526Y | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD526Y - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
KSD526Y | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
KSD526Y | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
товару немає в наявності |