KSD526YTU onsemi / Fairchild
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.98 грн |
| 10+ | 107.98 грн |
| 100+ | 65.93 грн |
| 250+ | 62.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD526YTU onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - KSD526YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції KSD526YTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD526YTU | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - KSD526YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| KSD526YTU | Виробник : FAIRCHILD |
07+ 220 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
KSD526YTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
KSD526YTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 8MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W |
товар відсутній |