Технічний опис KSD880O ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3, Power - Max: 30 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 3MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції KSD880O за ціною від 27.17 грн до 104.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
KSD880O | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 1242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
KSD880O | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Frequency - Transition: 3MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
KSD880O | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
KSD880O | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 111 шт В кошику од. на суму грн. |
| KSD880O |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 520+ | 27.17 грн |
| KSD880O |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220-3
Power - Max: 30 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 3MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.02 грн |
| 10+ | 63.19 грн |
| KSD880O |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSD880O |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




