KSD882YS onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.89 грн |
10+ | 34.63 грн |
100+ | 24.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD882YS onsemi
Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції KSD882YS за ціною від 13.02 грн до 41.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSD882YS | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KSD882YS | Виробник : FAIRCHIL |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
KSD882YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSD882YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
KSD882YS | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |