KSD882YSTU ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.81 грн |
| 20+ | 42.01 грн |
| 100+ | 36.81 грн |
| 500+ | 28.97 грн |
| 1000+ | 24.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSD882YSTU ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-126, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції KSD882YSTU за ціною від 25.01 грн до 87.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD882YSTU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD882YSTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KSD882YSTU |
|
на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
KSD882YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
KSD882YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
KSD882YSTU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| KSD882YSTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: TO126ISO Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 90MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| KSD882YSTU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: TO126ISO Current gain: 160...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 90MHz |
товару немає в наявності |