Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > KSD882YSTU
KSD882YSTU

KSD882YSTU onsemi / Fairchild

KSD882_D-1810415.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.26 грн
10+44.24 грн
100+33.76 грн
500+28.59 грн
1000+25.93 грн
1920+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD882YSTU onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-126, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції KSD882YSTU за ціною від 25.07 грн до 88.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSD882YSTU KSD882YSTU Виробник : onsemi ksd882-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 3A TO-126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.71 грн
60+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSD882YSTU KSD882YSTU Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.70 грн
20+43.41 грн
100+38.04 грн
500+29.94 грн
1000+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
KSD882YSTU ksd882-d.pdf
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD882YSTU KSD882YSTU Виробник : ON Semiconductor ksd882-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD882YSTU KSD882YSTU Виробник : ON Semiconductor ksd882-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD882YSTU KSD882YSTU Виробник : ON Semiconductor 3904185466340500ksd882.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD882YSTU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE9EC3DDFD867000D6&compId=KSD882.pdf?ci_sign=eac053b3304014bf0c55e60c2ec801d871cee1ef Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO126ISO
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.