| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1304+ | 27.32 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1304 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSE13007FSMTU FAIRCHILD
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 80W, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active.
Інші пропозиції KSE13007FSMTU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSE13007FSMTU | Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 80W Current - Collector (Ic) (Max): 8A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| KSE13007FSMTU | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
KSE13007FSMTU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| KSE13007FSMTU |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 80W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 80W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KSE13007FSMTU |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KSE13007FSMTU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.