Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSE13009FTU onsemi
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220F-3.
Інші пропозиції KSE13009FTU за ціною від 30.54 грн до 39.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSE13009FTU | Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 |
на замовлення 13687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
KSE13009FTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| KSE13009FTU | ON Semiconductor |
NPN Silicon GP BJT Transistor |
на замовлення 46000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| KSE13009FTU | ON Semiconductor |
NPN Silicon GP BJT Transistor |
на замовлення 36328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| KSE13009FTU | ON Semiconductor |
NPN Silicon GP BJT Transistor |
на замовлення 15687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| KSE13009FTU | ON Semiconductor |
NPN Silicon GP BJT Transistor |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| KSE13009FTU |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
на замовлення 13687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 649+ | 30.54 грн |
| KSE13009FTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT
Bipolar Transistors - BJT
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSE13009FTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
NPN Silicon GP BJT Transistor
NPN Silicon GP BJT Transistor
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 902+ | 39.22 грн |
| 1000+ | 36.17 грн |
| 10000+ | 32.26 грн |
| KSE13009FTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
NPN Silicon GP BJT Transistor
NPN Silicon GP BJT Transistor
на замовлення 36328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 902+ | 39.22 грн |
| 1000+ | 36.17 грн |
| 10000+ | 32.26 грн |
| KSE13009FTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
NPN Silicon GP BJT Transistor
NPN Silicon GP BJT Transistor
на замовлення 15687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 902+ | 39.22 грн |
| 1000+ | 36.17 грн |
| 10000+ | 32.26 грн |
| KSE13009FTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
NPN Silicon GP BJT Transistor
NPN Silicon GP BJT Transistor
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 902+ | 39.22 грн |
| 1000+ | 36.17 грн |