KSE13009TU ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - KSE13009TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 562+ | 64.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSE13009TU ONSEMI
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100W, Current - Collector (Ic) (Max): 12A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active.
Інші пропозиції KSE13009TU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSE13009TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail |
товар відсутній |
|
 |
KSE13009TU | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100W Current - Collector (Ic) (Max): 12A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active |
товар відсутній |
|
| KSE13009TU | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||
 |
KSE13009TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |