Технічний опис KSE44H11 ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 10A TO-220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1.67 W.
Інші пропозиції KSE44H11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSE44H11 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSE44H11 |
|
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSE44H11 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



