KSP05BU

KSP05BU onsemi


ksp06-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSP05BU onsemi

Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.

Інші пропозиції KSP05BU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSP05BU KSP05BU Виробник : onsemi / Fairchild ksp05-1192663.pdf Bipolar Transistors - BJT Si Transistor Epitaxial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.