KSP05BU onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSP05BU onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk.
Інші пропозиції KSP05BU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSP05BU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT Si Transistor Epitaxial |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| KSP05BU |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT Si Transistor Epitaxial
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.