KSP05TA

KSP05TA onsemi / Fairchild


KSP06_D-2314788.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 715 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.97 грн
23+ 13.56 грн
100+ 5.13 грн
1000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSP05TA onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-92-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції KSP05TA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
KSP05TA KSP05TA Виробник : ON Semiconductor ksp06-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSP05TA KSP05TA Виробник : ON Semiconductor ksp06-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
KSP05TA KSP05TA Виробник : onsemi ksp06-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
KSP05TA KSP05TA Виробник : onsemi ksp06-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній