KSP10BU onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.70 грн |
| 24+ | 12.91 грн |
| 29+ | 10.66 грн |
| 100+ | 7.55 грн |
| 250+ | 6.34 грн |
| 500+ | 5.59 грн |
| 1000+ | 4.88 грн |
| 2500+ | 4.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSP10BU onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3, Power - Max: 350mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Packaging: Bulk, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 650MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V.
Інші пропозиції KSP10BU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
KSP10BU | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 3854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| KSP10BU |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



