KSP10TA onsemi
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 5.03 грн |
| 4000+ | 4.36 грн |
| 6000+ | 4.12 грн |
| 10000+ | 3.61 грн |
| 14000+ | 3.46 грн |
| 20000+ | 3.32 грн |
| 50000+ | 2.96 грн |
| 100000+ | 2.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSP10TA onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Tape & Box (TB), Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-92-3, Frequency - Transition: 650MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, Power - Max: 350mW.
Інші пропозиції KSP10TA за ціною від 2.61 грн до 22.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSP10TA | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 8462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSP10TA | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 6202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSP10TA | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 650MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V Power - Max: 350mW Operating Temperature: 150°C (TJ) |
на замовлення 159915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| KSP10TA |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.81 грн |
| 69+ | 4.70 грн |
| 100+ | 3.24 грн |
| 500+ | 3.03 грн |
| 1000+ | 2.89 грн |
| 2000+ | 2.82 грн |
| 4000+ | 2.61 грн |
| KSP10TA |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 8.47 грн |
| 69+ | 4.70 грн |
| 100+ | 3.24 грн |
| 500+ | 3.03 грн |
| 1000+ | 2.89 грн |
| 2000+ | 2.82 грн |
| 10000+ | 2.61 грн |
| KSP10TA |
|
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92-3
Frequency - Transition: 650MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
Power - Max: 350mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 159915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.99 грн |
| 23+ | 13.36 грн |
| 28+ | 11.00 грн |
| 100+ | 7.80 грн |
| 250+ | 6.55 грн |
| 500+ | 5.78 грн |
| 1000+ | 5.05 грн |