KST55MTF ON Semiconductor
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9091+ | 3.41 грн |
| 10205+ | 3.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KST55MTF ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 350 mW.
Інші пропозиції KST55MTF за ціною від 3.04 грн до 21.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KST55MTF | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
KST55MTF | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| KST55MTF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KST55MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 44417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
KST55MTF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
KST55MTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
KST55MTF | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| KST55MTF | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |