L6387ED013TR STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -45°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 17V (Max)
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 400mA, 650mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 48.62 грн |
| 5000+ | 45.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис L6387ED013TR STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED013TR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 17V Versorgung, 650mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 650mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 400mA, Versorgungsspannung, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: SOIC, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 17V, Eingabeverzögerung: 110ns, Ausgabeverzögerung: 105ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції L6387ED013TR за ціною від 44.87 грн до 120.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
L6387ED013TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED013TR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 17V Versorgung, 650mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 650mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 400mA Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -45°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 17V (Max) Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 50ns, 30ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 400mA, 650mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 6906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Gate Drivers HV H-Bridge driver |
на замовлення 24784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
L6387ED013TR | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - L6387ED013TR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 17V Versorgung, 650mAout, 105ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 650mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 400mA Versorgungsspannung, min.: - euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 110ns Ausgabeverzögerung: 105ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 11488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| L6387ED013TR | Виробник : ST |
High+Low Side Non-Inverting MOSFET and IGBT Driver; Interlock; Half-Bridge; Vmax 600V; Io+/Io- 400mA/650mA; tON/OFF 110/105ns; 17V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: L6387ED013TR; L6387ED UIL6387ed кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
 |
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 600V 0.65A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
L6387ED013TR | Виробник : STMicroelectronics |
Driver 600V 2-OUT High Side/Low Side Non-Inv 8-Pin SO N T/R |
товару немає в наявності |