Продукція > ON > LA733P

LA733P ON


Виробник: ON
TO-92
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LA733P ON

Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Frequency - Transition: 450MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 48V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 625mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції LA733P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LA733P LA733P onsemi Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 450MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 48V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 625mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LA733P onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LA733P
LA733P
Виробник: onsemi
Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 450MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 48V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 625mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LA733P
Виробник: onsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.