LA733P ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - LA733P - LA733P, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1010+ | 25.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LA733P ONSEMI
Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 625mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 48V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 450MHz, Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції LA733P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| LA733P | Виробник : ON | TO-92 |
на замовлення 4100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
LA733P | Виробник : onsemi |
Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 625mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 48V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 450MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete |
товар відсутній |