Продукція > LITTELFUSE > LFUSCD15120A
LFUSCD15120A

LFUSCD15120A Littelfuse

Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_Carbide_LFU-1372383.pdf
Виробник: Littelfuse
Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 15 A 2-lead SiC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LFUSCD15120A Littelfuse

Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220AC, Current - Average Rectified (Io): 15A, Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky.

Інші пропозиції LFUSCD15120A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LFUSCD15120A LFUSCD15120A Littelfuse Inc. LFUSCD15120A_10-5-16.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LFUSCD15120A LFUSCD15120A_10-5-16.pdf
LFUSCD15120A
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO220AC
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 375 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.