LGD8205ATI

LGD8205ATI LITTELFUSE


LFSI-S-A0012010854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - LGD8205ATI - IGBT, 20 A, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 390V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 734 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LGD8205ATI LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - LGD8205ATI - IGBT, 20 A, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 125W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 390V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 20A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції LGD8205ATI за ціною від 55.64 грн до 122.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LGD8205ATI LGD8205ATI Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0012010854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - LGD8205ATI - IGBT, 20 A, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 390V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.14 грн
10+90.78 грн
100+71.22 грн
500+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LGD8205ATI Виробник : Littelfuse finaldatasheetlgd8205atirev2005a.pdf DPAK, IGBT4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGD8205ATI Виробник : LITTELFUSE pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEA93B651E9BA0C7&compId=LGD8205ATI.pdf?ci_sign=12e319b8e7438a4af35796954626fe722d781459 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 20A; 125W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGD8205ATI Виробник : Littelfuse Inc. Description: IGBT 390V 20A 125W DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGD8205ATI Виробник : Littelfuse Littelfuse DPAK, IGBT4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LGD8205ATI Виробник : LITTELFUSE pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEA93B651E9BA0C7&compId=LGD8205ATI.pdf?ci_sign=12e319b8e7438a4af35796954626fe722d781459 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 350V; 20A; 125W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Application: automotive industry; ignition systems
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.