Продукція > LITTELFUSE > LGD8209TI

LGD8209TI LITTELFUSE

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBAEA94005DB6440C7&compId=LGD8209TI.pdf?ci_sign=0bba3b2e331132ad20bc1470139c2f8ede50a332

Виробник: LITTELFUSE
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; Features: logic level; ESD
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: ignition systems
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LGD8209TI LITTELFUSE

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; Features: logic level; ESD, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 410V, Collector current: 12A, Power dissipation: 94W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 30A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Application: ignition systems, Version: ESD, Features of semiconductor devices: logic level, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції LGD8209TI

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	LGD8209TI	Виробник : LITTELFUSE	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 410V Collector current: 12A Power dissipation: 94W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: ignition systems Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.