Технічний опис LGD8209TI Littelfuse Inc.
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; Features: logic level; ESD, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 410V, Collector current: 12A, Power dissipation: 94W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 30A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: logic level, Application: ignition systems, Version: ESD.
Інші пропозиції LGD8209TI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| LGD8209TI | Виробник : IXYS |
 IGBTs DPAK, IGBT3 |
товару немає в наявності |
||
| LGD8209TI | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 410V; 12A; 94W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 410V Collector current: 12A Power dissipation: 94W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems Version: ESD |
товару немає в наявності |