LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11nC
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 32mΩ
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Polarisation: unipolar, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.25W, Gate charge: 11nC, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±12V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23, On-state resistance: 32mΩ.
Інші пропозиції LGE2300 за ціною від 2.10 грн до 2.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE2300 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| LGE2300 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.10 грн |


