
LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.25W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 26660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 3.05 грн |
160+ | 2.58 грн |
440+ | 2.13 грн |
1200+ | 2.02 грн |
12000+ | 1.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Case: SOT23, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate charge: 11nC, On-state resistance: 32mΩ, Power dissipation: 1.25W, Drain current: 4A, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, кількість в упаковці: 20 шт.
Інші пропозиції LGE2300 за ціною від 1.61 грн до 3.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LGE2300 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.25W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 26660 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
LGE2300 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|