
LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 3.18 грн |
160+ | 2.65 грн |
440+ | 2.21 грн |
1180+ | 2.08 грн |
12000+ | 1.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 32mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 11nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 20 шт.
Інші пропозиції LGE2300 за ціною від 1.79 грн до 3.30 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LGE2300 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 29700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
LGE2300 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|