
LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
на замовлення 29980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
140+ | 3.14 грн |
160+ | 2.64 грн |
420+ | 2.18 грн |
1160+ | 2.06 грн |
12000+ | 1.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2300 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23, Case: SOT23, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4A, On-state resistance: 32mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.25W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 11nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 20 шт.
Інші пропозиції LGE2300 за ціною від 1.73 грн до 3.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LGE2300 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.25W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 29980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
LGE2300 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Substitute: LGE2300-LGE; LGE2300 TLGE2300 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|