LGE2301
Виробник: LGE
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
28-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
400 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2301 LGE
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції LGE2301
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
LGE2301 | LUGUANG ELECTRONIC |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| LGE2301 |
|
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.