
LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 5.07 грн |
100+ | 3.33 грн |
405+ | 2.75 грн |
1110+ | 2.60 грн |
3000+ | 2.55 грн |
12000+ | 2.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2301 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -3A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 0.14Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 12nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції LGE2301 за ціною від 1.72 грн до 6.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LGE2301 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
LGE2301 | Виробник : LGE |
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Substitute: LGE2301-LGE; LGE2301 TLGE2301 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|