
LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.1A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7.8nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.93 грн |
100+ | 4.40 грн |
335+ | 3.39 грн |
915+ | 3.20 грн |
12000+ | 3.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2305 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -4.1A, Power dissipation: 1.7W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 75mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 7.8nC, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції LGE2305 за ціною від 2.51 грн до 13.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LGE2305 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.1A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.8nC |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
LGE2305 | Виробник : LGE |
Transistor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2305-LGE; LGE2305 TLGE2305 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|