LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 7.66 грн |
| 100+ | 4.45 грн |
| 250+ | 4.00 грн |
| 1000+ | 3.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Drain current: 4.9A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 31mΩ.
Інші пропозиції LGE2312 за ціною від 3.48 грн до 3.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE2312 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| LGE2312 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.48 грн |