LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 31mΩ
Drain current: 4.9A
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 7.23 грн |
| 100+ | 4.20 грн |
| 250+ | 3.79 грн |
| 1000+ | 3.34 грн |
| 3000+ | 3.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 31mΩ, Drain current: 4.9A, Drain-source voltage: 20V, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції LGE2312 за ціною від 2.44 грн до 8.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGE2312 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 31mΩ Drain current: 4.9A Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| LGE2312 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|