LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 31mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 7.45 грн |
| 100+ | 4.34 грн |
| 250+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.44 грн |
| 3000+ | 3.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE2312 LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23, Case: SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.9A, On-state resistance: 31mΩ, Polarisation: unipolar, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції LGE2312 за ціною від 2.58 грн до 8.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LGE2312 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A On-state resistance: 31mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
| LGE2312 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Substitute: LGE2312-LGE; LGE2312 TLGE2312 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|