Продукція > LUGUANG ELECTRONIC > LGE3M30065Q

LGE3M30065Q LUGUANG ELECTRONIC

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB4924C38B14100D6&compId=LGE3M30065Q.pdf?ci_sign=b07332cf1ad1e7b76d644810126fbea3701b98ae

Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 54A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 170A
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис LGE3M30065Q LUGUANG ELECTRONIC

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W, Technology: SiC, Mounting: THT, Case: TO247-4, Kind of package: tube, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 54A, On-state resistance: 45mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: Kelvin terminal, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 170A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції LGE3M30065Q

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	LGE3M30065Q	Виробник : LUGUANG ELECTRONIC	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 170A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.