
LL5819 L0G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 14.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LL5819 L0G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - LL5819 L0G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, MELF, 600 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: MELF, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 600mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: LL581x Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції LL5819 L0G за ціною від 12.72 грн до 63.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; MELF plastic; SMD; 40V; 1A; reel,tape Max. off-state voltage: 40V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: MELF plastic |
на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MELF Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: - Produktpalette: LL581x Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 14617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: MELF Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: - Produktpalette: LL581x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 14617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; MELF plastic; SMD; 40V; 1A; reel,tape Max. off-state voltage: 40V Max. forward voltage: 0.9V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Case: MELF plastic кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 665 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
LL5819 L0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
LL5819 L0G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |