LM2105DR Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: 105-V 0.5-A/0.8-A HALF-BRIDGE GA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 5V ~ 18V
Applications: DC Motors, General Purpose
Current - Output / Channel: 500mA
Current - Peak Output: 800mA
Technology: NMOS
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: UVLO
Load Type: Capacitive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM2105DR Texas Instruments
Category: MOSFET/IGBT drivers, Description: IC: driver; buck,MOSFET half-bridge; SO8; 250÷800mV; Uin: 0÷18.3V, Type of integrated circuit: driver, Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver, Input voltage: 0...18.3V, Output voltage: 250...800mV, Case: SO8, Mounting: SMD, Topology: buck; MOSFET half-bridge, Impulse rise time: 115ns, Pulse fall time: 115ns, Supply voltage: 5...18V, Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut), Kind of package: reel; tape, Operating temperature: -40...125°C, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LM2105DR за ціною від 20.89 грн до 70.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LM2105DR | Виробник : Texas Instruments |
Description: 105-V 0.5-A/0.8-A HALF-BRIDGE GA Packaging: Cut Tape (CT) Features: Bootstrap Circuit Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 5V ~ 18V Applications: DC Motors, General Purpose Current - Output / Channel: 500mA Current - Peak Output: 800mA Technology: NMOS Supplier Device Package: 8-SOIC Fault Protection: UVLO Load Type: Capacitive |
на замовлення 5082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM2105DR | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers 107-V 0.5-A/0.8-A half-bridge gate driver with 5-V UVLO and integrated bootstrap diode 8-SOIC -40 to 125 |
на замовлення 4089 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM2105DR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; buck,MOSFET half-bridge; SO8; 250÷800mV; Uin: 0÷18.3V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Input voltage: 0...18.3V Output voltage: 250...800mV Case: SO8 Mounting: SMD Topology: buck; MOSFET half-bridge Impulse rise time: 115ns Pulse fall time: 115ns Supply voltage: 5...18V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut) Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM2105DR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; buck,MOSFET half-bridge; SO8; 250÷800mV; Uin: 0÷18.3V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Input voltage: 0...18.3V Output voltage: 250...800mV Case: SO8 Mounting: SMD Topology: buck; MOSFET half-bridge Impulse rise time: 115ns Pulse fall time: 115ns Supply voltage: 5...18V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality; UVLO (UnderVoltage LockOut) Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM2105DR | Виробник : Texas Instruments |
Half-Bridge Driver |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM2105DR | Виробник : Texas Instruments |
Half-Bridge Driver |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LM2105DR | Виробник : Texas Instruments |
Half-Bridge Driver |
товару немає в наявності |