LM5101BMAX/NOPB Texas Instruments
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 151.99 грн |
| 5000+ | 144.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5101BMAX/NOPB Texas Instruments
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 9V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 570ns, 430ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, -, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції LM5101BMAX/NOPB за ціною від 124.15 грн до 263.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
 Gate Drivers 2-A 100-V half brid ge gate driver with A 926-LM5101BMA/NOPB |
на замовлення 2592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| LM5101BMAX/NOPB | Виробник : National Semiconductor |
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 27911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Output current: -2...2A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 9...14V DC Impulse rise time: 570ns Protection: undervoltage UVP Pulse fall time: 430ns кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 570ns, 430ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, - Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 9V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 118 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 570ns, 430ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 2.3V, - Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM5101BMAX/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8; -2÷2A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Output current: -2...2A Case: SO8 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 9...14V DC Impulse rise time: 570ns Protection: undervoltage UVP Pulse fall time: 430ns |
товару немає в наявності |