LM5108DRCT Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 16V
Input Type: CMOS/TTL
Supplier Device Package: 10-VSON (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 8ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.6A, 2.6A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 48.88 грн |
| 500+ | 45.18 грн |
| 750+ | 44.24 грн |
| 1250+ | 40.53 грн |
| 1750+ | 39.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5108DRCT Texas Instruments
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 5.5V ~ 16V, Input Type: CMOS/TTL, Supplier Device Package: 10-VSON (3x3), Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 8ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.6A, 2.6A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції LM5108DRCT за ціною від 40.51 грн до 99.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 5.5V ~ 16V Input Type: CMOS/TTL Supplier Device Package: 10-VSON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 8ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1.6A, 2.6A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers 2.6-A 110-V half br idge gate driver wit A 595-LM5108DRCR |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin VSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| LM5108DRCT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; VSON10; -2.6÷1.6A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Output current: -2.6...1.6A Case: VSON10 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 100V Supply voltage: 5.5...16V DC Impulse rise time: 11ns Pulse fall time: 8ns Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| LM5108DRCT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; VSON10; -2.6÷1.6A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Output current: -2.6...1.6A Case: VSON10 Mounting: SMD Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Voltage class: 100V Supply voltage: 5.5...16V DC Impulse rise time: 11ns Pulse fall time: 8ns Protection: undervoltage UVP |
товару немає в наявності |