LM5108DRCT Texas Instruments
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 42.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5108DRCT Texas Instruments
Description: IC GATE DRVR PWR MGMT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 5.5V ~ 16V, Input Type: CMOS/TTL, Supplier Device Package: 10-VSON (3x3), Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 8ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Current - Peak Output (Source, Sink): 1.6A, 2.6A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції LM5108DRCT за ціною від 35.34 грн до 102.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
 Description: IC GATE DRVR PWR MGMTPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 5.5V ~ 16V Input Type: CMOS/TTL Supplier Device Package: 10-VSON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 8ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1.6A, 2.6A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR PWR MGMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 5.5V ~ 16V Input Type: CMOS/TTL Supplier Device Package: 10-VSON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 11ns, 8ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Current - Peak Output (Source, Sink): 1.6A, 2.6A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers 2.6-A, 110-V half bridge gate driver with enable and interlock 10-VSON -40 to 125 |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
LM5108DRCT | Виробник : Texas Instruments |
Driver 2.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg 10-Pin VSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| LM5108DRCT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; VSON10; -2.6÷1.6A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: VSON10 Output current: -2.6...1.6A Number of channels: 2 Supply voltage: 5.5...16V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 11ns Pulse fall time: 8ns Voltage class: 100V Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| LM5108DRCT | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; VSON10; -2.6÷1.6A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: VSON10 Output current: -2.6...1.6A Number of channels: 2 Supply voltage: 5.5...16V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 11ns Pulse fall time: 8ns Voltage class: 100V Protection: undervoltage UVP |
товар відсутній |