LM5109ASD/NOPB Texas Instruments
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 463+ | 26.72 грн |
| 470+ | 26.30 грн |
| 477+ | 25.89 грн |
| 485+ | 24.56 грн |
| 493+ | 22.37 грн |
| 502+ | 21.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5109ASD/NOPB Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5109ASD/NOPB - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-14V Versorgungsspannung, 1Aout, 30ns Verzögerung, WSON-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: WSON, Eingang: Nicht invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 8V, euEccn: NLR, Bauform - Treiber: WSON, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: 32ns, Ausgabeverzögerung: 30ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції LM5109ASD/NOPB за ціною від 22.62 грн до 148.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 108 V Supplier Device Package: 8-WSON (4x4) Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5109ASD/NOPB - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-14V Versorgungsspannung, 1Aout, 30ns Verzögerung, WSON-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 32ns Ausgabeverzögerung: 30ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSONPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 108 V Supplier Device Package: 8-WSON (4x4) Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 59627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers 100V 1A Ebike Driver A 926-LM5109ASDX/NOPB |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5109ASD/NOPB - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V-14V Versorgungsspannung, 1Aout, 30ns Verzögerung, WSON-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: WSON Eingang: Nicht invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Bauform - Treiber: WSON Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: 32ns Ausgabeverzögerung: 30ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin WSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
LM5109ASD/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; WSON8; -1÷1A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: WSON8 Output current: -1...1A Number of channels: 2 Supply voltage: 8...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 15ns Pulse fall time: 15ns Protection: undervoltage UVP |
товару немає в наявності |




