LM5109BMAX/NOPB Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 8V ~ 14V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 108 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.73 грн |
| 5000+ | 26.28 грн |
| 12500+ | 25.3 грн |
| 25000+ | 23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5109BMAX/NOPB Texas Instruments
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5109BMAX/NOPB - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V bis 14V Versorgungsspannung, 1Aout, 30ns Verzögerung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1A, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 8V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 14V, Eingabeverzögerung: -, Ausgabeverzögerung: -, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції LM5109BMAX/NOPB за ціною від 24.17 грн до 77.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5109BMAX/NOPB - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V bis 14V Versorgungsspannung, 1Aout, 30ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 8V ~ 14V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 108 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 30824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers Hi Vtg 1A Peak Half Bridge Gate Dvr |
на замовлення 9973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Description: TEXAS INSTRUMENTS - LM5109BMAX/NOPB - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 8V bis 14V Versorgungsspannung, 1Aout, 30ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1A Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 8V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 14V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 1A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1÷1A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -1...1A Number of channels: 2 Supply voltage: 8...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 15ns Pulse fall time: 15ns Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
LM5109BMAX/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; high-/low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1÷1A; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Output current: -1...1A Number of channels: 2 Supply voltage: 8...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 15ns Pulse fall time: 15ns Protection: undervoltage UVP |
товар відсутній |