
LM5110-2M/NOPB TEXAS INSTRUMENTS

Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷3A; Ch: 2
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
Supply voltage: 3.5...14V DC
Output current: -5...3A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 25ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 2
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Mounting: SMD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.15 грн |
10+ | 88.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5110-2M/NOPB TEXAS INSTRUMENTS
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V, Input Type: Inverting, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції LM5110-2M/NOPB за ціною від 87.15 грн до 187.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -5÷3A; Ch: 2 Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 Supply voltage: 3.5...14V DC Output current: -5...3A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 25ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 2 Protection: undervoltage UVP Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
LM5110-2M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |