LM5111-1M/NOPB TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: TEXAS INSTRUMENTSCategory: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,MOSFET gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Output current: -5...3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Topology: MOSFET half-bridge
Number of channels: 2
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Supply voltage: 3.5...14V DC
Impulse rise time: 25ns
Pulse fall time: 25ns
Kind of output: non-inverting
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 172.48 грн |
| 5+ | 141.77 грн |
| 7+ | 141.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5111-1M/NOPB TEXAS INSTRUMENTS
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V, Input Type: Non-Inverting, Supplier Device Package: 8-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Low-Side, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції LM5111-1M/NOPB за ціною від 49.81 грн до 260.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LM5111-1M/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,MOSFET gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Output current: -5...3A Case: SO8 Mounting: SMD Topology: MOSFET half-bridge Number of channels: 2 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Supply voltage: 3.5...14V DC Impulse rise time: 25ns Pulse fall time: 25ns Kind of output: non-inverting Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5111-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5111-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers Dual 5A Compound Driver |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| LM5111-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Драйвер MOSFET; Uживл, В = 3,5...14; Тип вх. сигн. = неінвертуючий; Io = 5 А; Dt = 25 нс; К-сть вих. = 2; Конфіг = 2 драйвери нижнього плеча; Тексп, °С = -40...+125; SOICN-8 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| LM5111-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Dual Compound Non-Inverting MOSFET Gate Driver; Low side; 5A Peak; 3,5V~14V; -40°C ~ 125°C; LM5111-1M UILM51111m кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
LM5111-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LM5111-1M/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 5A 2-OUT Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube |
товару немає в наявності |