LM5112Q1SD/NOPB Texas Instruments
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 57.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LM5112Q1SD/NOPB Texas Instruments
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V, Input Type: Inverting, Non-Inverting, Supplier Device Package: 6-WSON (3x3), Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns, Channel Type: Single, Driven Configuration: Low-Side, Number of Drivers: 1, Gate Type: MOSFET (N-Channel), Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V, Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 7A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції LM5112Q1SD/NOPB за ціною від 53.04 грн до 140.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: 6-WSON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 7A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3.5V ~ 14V Input Type: Inverting, Non-Inverting Supplier Device Package: 6-WSON (3x3) Rise / Fall Time (Typ): 14ns, 12ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.3V Current - Peak Output (Source, Sink): 3A, 7A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 9026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Gate Drivers 7A Sgl Mosfet Driver |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 7A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 7A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : Texas Instruments |
Driver 7A 1-OUT Low Side Inv/Non-Inv 6-Pin WSON EP T/R Automotive AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; WSON6; -7÷3A; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: WSON6 Output current: -7...3A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.5...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 14ns Pulse fall time: 12ns Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| LM5112Q1SD/NOPB | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; WSON6; -7÷3A; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver Case: WSON6 Output current: -7...3A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.5...14V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Impulse rise time: 14ns Pulse fall time: 12ns Protection: undervoltage UVP |
товару немає в наявності |