
LMG3526R030RQSR Texas Instruments

Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Current: 55 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2014.58 грн |
10+ | 1789.12 грн |
25+ | 1708.71 грн |
100+ | 1433.76 грн |
250+ | 1367.73 грн |
500+ | 1301.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Type: MOSFET, Configuration: Half Bridge Inverter, Current: 55 A, Voltage: 650 V.
Інші пропозиції LMG3526R030RQSR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
LMG3526R030RQSR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
LMG3526R030RQSR | Виробник : Texas Instruments |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Current: 55 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
LMG3526R030RQSR | Виробник : Texas Instruments |
![]() |
товару немає в наявності |