LMG3526R030RQSR

LMG3526R030RQSR Texas Instruments


lmg3526r030.pdf Виробник: Texas Instruments
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Current: 55 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2014.58 грн
10+1789.12 грн
25+1708.71 грн
100+1433.76 грн
250+1367.73 грн
500+1301.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LMG3526R030RQSR Texas Instruments

Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Type: MOSFET, Configuration: Half Bridge Inverter, Current: 55 A, Voltage: 650 V.

Інші пропозиції LMG3526R030RQSR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LMG3526R030RQSR Виробник : TEXAS INSTRUMENTS lmg3526r030.pdf LMG3526R030RQSR Drivers - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMG3526R030RQSR LMG3526R030RQSR Виробник : Texas Instruments lmg3526r030.pdf Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Current: 55 A
Voltage: 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LMG3526R030RQSR LMG3526R030RQSR Виробник : Texas Instruments lmg3526r030.pdf MOSFET 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection 52-VQFN -40 to 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.