LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Current: 55 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2033.95 грн |
| 10+ | 1806.32 грн |
| 25+ | 1725.14 грн |
| 100+ | 1447.54 грн |
| 250+ | 1380.88 грн |
| 500+ | 1314.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Category: Drivers - integrated circuits, Description: IC: PMIC; GaN; thermal protection; 650V; 55A, Technology: GaN, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 55A, On-state resistance: 30mΩ, Type of integrated circuit: PMIC, Operating temperature: -40...150°C, Integrated circuit features: thermal protection.
Інші пропозиції LMG3526R030RQSR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
LMG3526R030RQSR | Виробник : Texas Instruments |
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Current: 55 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
|
 |
LMG3526R030RQSR | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection 52-VQFN -40 to 150 |
товару немає в наявності |
|
| LMG3526R030RQSR | Виробник : TEXAS INSTRUMENTS |
Category: Drivers - integrated circuits Description: IC: PMIC; GaN; thermal protection; 650V; 55A Technology: GaN Drain-source voltage: 650V Drain current: 55A On-state resistance: 30mΩ Type of integrated circuit: PMIC Operating temperature: -40...150°C Integrated circuit features: thermal protection |
товару немає в наявності |