LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Current: 55 A
Voltage: 650 V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2067.68 грн |
| 10+ | 1836.28 грн |
| 25+ | 1753.75 грн |
| 100+ | 1471.55 грн |
| 250+ | 1403.78 грн |
| 500+ | 1336.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LMG3526R030RQSR Texas Instruments
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Type: MOSFET, Configuration: Half Bridge Inverter, Current: 55 A, Voltage: 650 V.
Інші пропозиції LMG3526R030RQSR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
LMG3526R030RQSR | Виробник : Texas Instruments |
Description: 650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 52-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Current: 55 A Voltage: 650 V |
товару немає в наявності |
|
 |
LMG3526R030RQSR | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET 650-V 30-m? GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection 52-VQFN -40 to 150 |
товару немає в наявності |