LMG3526R030RQST Texas Instruments
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 1597.80 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
250 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LMG3526R030RQST Texas Instruments
Driver 1.2A 1-OUT Half Brdg Non-Inv 52-Pin VQFN EP T/R.
Інші пропозиції LMG3526R030RQST за ціною від 1513.64 грн до 2126.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LMG3526R030RQST | Texas Instruments |
 Description: MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
LMG3526R030RQST | Texas Instruments |
Gate Drivers 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| LMG3526R030RQST |
|
Виробник: Texas Instruments
Description: MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Description: MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2126.49 грн |
| 10+ | 1888.77 грн |
| 25+ | 1803.90 грн |
| 100+ | 1513.64 грн |
| LMG3526R030RQST |
|
Виробник: Texas Instruments
Gate Drivers 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
Gate Drivers 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)