Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND01K1-G
LND01K1-G

LND01K1-G Microchip Technology

20005696A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND01K1-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): +0.6V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V.

Інші пропозиції LND01K1-G за ціною від 30.40 грн до 50.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND01K1-G LND01K1-G Виробник : Microchip Technology 20005696A.pdf Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
на замовлення 5002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.57 грн
25+36.17 грн
100+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND01K1-G LND01K1-G Виробник : Microchip Technology 20005696A-3443418.pdf MOSFETs Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.20 грн
100+38.98 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND01K1-G LND01K1-G Виробник : Microchip Technology / Atmel 20005696A-1150149.pdf MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode
на замовлення 23800 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.54 грн
10+49.12 грн
25+36.25 грн
100+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND01K1-G LND01K1-G Виробник : Microchip Technology 2754141590199257filehandler.aspxddocnameen570632.aspxddocnameen570632.pdf Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND01K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005696A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 0.36W
Pulsed drain current: 0.6A
On-state resistance: 1.4Ω
Drain-source voltage: 9V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23-5
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.