LND01K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): +0.6V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND01K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23-5, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): +0.6V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V.
Інші пропозиції LND01K1-G за ціною від 26.64 грн до 44.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): +0.6V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 9 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 5 V |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode |
на замовлення 21623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
LND01K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 9V 0.33A 5-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| LND01K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: depleted Pulsed drain current: 0.6A Drain-source voltage: 9V Drain current: 0.33A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-5 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| LND01K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 9V; 330mA; Idm: 0.6A; 0.36W; SOT23-5 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of channel: depleted Pulsed drain current: 0.6A Drain-source voltage: 9V Drain current: 0.33A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-5 Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |