LND150K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 25.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LND150K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції LND150K1-G за ціною від 19.57 грн до 41.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LND150K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LND150K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LND150K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V |
на замовлення 23820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
LND150K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K |
на замовлення 41625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LND150K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
LND150K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| LND150K1-G | Виробник : Microchip |
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
LND150K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
LND150K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
LND150K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13mA Pulsed drain current: 0.03A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1kΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion |
товару немає в наявності |