Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND150K1-G
LND150K1-G

LND150K1-G Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 60800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm.

Інші пропозиції LND150K1-G за ціною від 23.93 грн до 156.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Drain current: 13mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 1kΩ
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.74 грн
25+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 61769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.91 грн
25+28.49 грн
100+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+37.74 грн
25+31.23 грн
100+25.73 грн
3000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.70 грн
25+46.96 грн
100+44.56 грн
250+40.59 грн
500+38.33 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
303+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Drain current: 13mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
On-state resistance: 1kΩ
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.74 грн
25+27.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 61769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.91 грн
25+28.49 грн
100+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150 C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.74 грн
25+31.23 грн
100+25.73 грн
3000+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.70 грн
25+46.96 грн
100+44.56 грн
250+40.59 грн
500+38.33 грн
1000+37.68 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
303+48.45 грн
Мінімальне замовлення: 303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
285+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.