Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND150K1-G
LND150K1-G

LND150K1-G Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції LND150K1-G за ціною від 25.83 грн до 88.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.29 грн
3000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+35.46 грн
18+34.92 грн
25+34.37 грн
100+32.62 грн
250+29.72 грн
500+28.07 грн
1000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 27818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
25+29.63 грн
100+26.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
333+36.60 грн
338+36.03 грн
500+32.70 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 333
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
324+37.60 грн
329+37.02 грн
335+36.43 грн
340+34.57 грн
500+31.49 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 324
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.08 грн
6000+37.89 грн
9000+37.70 грн
12000+36.17 грн
15000+33.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 850 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.27 грн
25+33.01 грн
100+31.29 грн
3000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology LND150_C041114-3445384.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 18069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.67 грн
25+33.68 грн
100+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
215+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 215
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.10 грн
10+41.59 грн
25+35.63 грн
67+34.40 грн
100+33.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
On-state resistance: 1kΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.03A
Case: SOT23-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.92 грн
6+51.83 грн
25+42.75 грн
67+41.28 грн
100+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G Виробник : Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.