Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > LND150K1-G
LND150K1-G

LND150K1-G Microchip Technology

LND150%20C041114.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції LND150K1-G за ціною від 24.11 грн до 89.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.45 грн
3000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.79 грн
6000+34.62 грн
9000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 26736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.27 грн
25+28.28 грн
100+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
327+37.61 грн
332+37.03 грн
338+36.44 грн
343+34.57 грн
500+31.48 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 327
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 9832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.04 грн
25+31.48 грн
100+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+40.30 грн
25+39.68 грн
100+37.65 грн
250+34.30 грн
500+32.38 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.25 грн
25+34.62 грн
100+30.45 грн
3000+27.88 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
256+48.19 грн
Мінімальне замовлення: 256
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Case: SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 1kΩ
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.85 грн
10+42.18 грн
25+36.17 грн
69+35.54 грн
100+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Case: SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
On-state resistance: 1kΩ
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.82 грн
6+52.56 грн
25+43.41 грн
69+42.65 грн
100+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G Виробник : Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Виробник : Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.