LND150K1-G Microchip Technology


LND150%20C041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.02 грн
25+27.40 грн
100+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис LND150K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm.

Інші пропозиції LND150K1-G за ціною від 36.67 грн до 62.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
320+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.96 грн
3000+43.11 грн
6000+43.00 грн
9000+41.37 грн
12000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.38 грн
310+45.66 грн
315+44.94 грн
320+42.64 грн
500+38.84 грн
1000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.10 грн
17+46.38 грн
25+45.66 грн
100+43.34 грн
250+39.48 грн
500+37.29 грн
1000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 26646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
320+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 320 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+45.96 грн
3000+43.11 грн
6000+43.00 грн
9000+41.37 грн
12000+38.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
305+46.38 грн
310+45.66 грн
315+44.94 грн
320+42.64 грн
500+38.84 грн
1000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.10 грн
17+46.38 грн
25+45.66 грн
100+43.34 грн
250+39.48 грн
500+37.29 грн
1000+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
275+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
Виробник: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150 C041114.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 26646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 4414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.