Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > LND150N3-G-P002

LND150N3-G-P002

LND150%20C041114.pdf
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції LND150N3-G-P002 за ціною від 31.24 грн до 47.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.60 грн
25+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.69 грн
25+38.01 грн
100+31.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Виробник : Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.